Ki egzijans kle pou anbalaj ak konsepsyon chalè dissipation lanp gwo -pou anpeche surchof ak afekte lavi yo?

一, Materyèl anbalaj: yon balans ant karakteristik tèmodinamik ak estabilite alontèm -
1. Materyèl substra a: Ranplase plastik ak substra seramik vin komen.
Substra plastik tradisyonèl yo (tankou FR-4) gen yon konduktiviti tèmik nan sèlman 0.3-0.5W / (m · K), ki vle di ke limyè ki gen plis pase 50W nan pouvwa ka fasil jwenn tach cho. Kondiktif tèmik nan nitrure aliminyòm (AlN) substrate seramik ka osi wo ke 170-230W / (m · K), ak konduktiviti nan tèmik nan oksid aliminyòm (Al ₂ O3) substrate seramik ka osi ba ke 24-35W / (m · K). Tou de nan materyèl sa yo ka diminye anpil rezistans tèmik. Konpayi Dinghongrun, pou egzanp, anplwaye chips ki ap dirije ak substrats seramik ki fèt ak nitrure aliminyòm. Tanperati junction a se 25 degre Sèlsiyis pi ba pase sa yo ki nan pwodwi substrate plastik apre 1000 èdtan nan itilizasyon kontinyèl, ak to degradasyon limyè a desann soti nan 15% a 5%.
2. Fluoresan poud ak adezif enkapsulasyon: travay ansanm pou fè bagay sa yo rezistan a tanperati ki wo ak ki estab nan limyè.
Gwo -pouvwa dirije yo gen entansite eksitasyon limyè ble ki se 3 a 5 fwa pi wo pase sa yo ki nan pwodwi regilye. Lè tanperati a depase 150 degre, anbalaj tradisyonèl silikon ka vire jòn, sa ki fè li mwens efikas nan kite limyè pase. Endistri kontanporen an sèvi ak yon lakòl òganik Silisyòm inòganik enkapsulasyon ki ka jere tanperati ki soti nan -60 degre a 250 degre. Apre 1000 èdtan nan itilizasyon kontinyèl nan 200 degre, li toujou kite plis pase 90% nan limyè pase. Lè li rive chwazi fosfò, fosfò nitrure (tankou - SiAlON: Eu ² ⁺) se pi bon chwa pou sitiyasyon ki wo tanperati tankou limyè devan machin yo paske pousantaj dekonpozisyon pwopòsyon efikasite yo se 40% pi ba pase sa yo ki nan fosfò YAG estanda.
3. Solid kristal materyèl: adezif ajan ak konduktiviti tèmik fò ak teknoloji soude eutektik
Tradisyonèl keratin tèmik gen yon rezistans tèmik nan 0.1-0.3 degre ·cm² / W. Apre keratin nano ajan vin di, rezistans tèmik la ka bese a 0.02 degre ·cm²/W. Yon sèten machin limyè devan machin anplwaye soude eutektik tanperati ki ba-pou konekte dirèkteman chips ki ap dirije ak substrats kwiv. Sa a diminye rezistans tèmik kontak soti nan 0.5 degre ·cm²/W a 0.05 degre ·cm²/W ak tanperati a junction chip pa 18 degre.
2, Fason chalè a lage: yon kanal ki ba-enpedans soti nan chip la nan mond lan deyò.
1. Plak pawa absòpsyon chalè: mikrostruktur ranfòse konduktiviti tèmik transverse
Plak pawa ki absòbe chalè -la dwe gen tou de yon gwo plat ak yon gwo pousantaj transfè chalè transverse. Fraisage machin lan trete chalè alyaj aliminyòm -absòbe plak revètman ak yon brutality sifas nan Ra mwens pase oswa egal a 0.8 μm. Rezistans tèmik kontak ak chips ki ap dirije yo ka kenbe anba a 0.01 degre ·cm²/W. Yon sèten konpayi ki fè ekleraj endistriyèl te pwodwi yon estrikti mikwochanèl andedan plak la chalè -absòbe pawa. Sa a te fè koule awozaj la 30% pi fasil ak dissipation chalè a 25% pi bon lè l sèvi avèk yon tretman sifas fèy lotus biomimetic.
2. Najwar dissipation chalè: yon konsepsyon ki imite lanati ak amelyore koule lè
Lè gen konveksyon natirèl, najwar paralèl tradisyonèl yo pa gaye chalè tou. Nan lòt men an, najwar estrikti po reken byomimetik ka koupe epesè kouch fwontyè tèmik la pa 40%. Yon konpayi ki fè ekspozisyon deyò itilize yon konsepsyon najwa trapezoidal epi chanje espas ki genyen ant najwar yo soti nan 5mm a 3mm. Zòn nan dissipation chalè ap grandi pa 22% ak rezistans nan tèmik gout pa 18% lè vitès van an se 2m / s. Teknoloji tiyo chalè vin tounen yon solisyon enpòtan pou itilize nan ti espas. Sintered tiyo chalè, ki gen yon konduktiviti tèmik nan 5000W / (m · K), yo itilize pa yon sèl pwojektè Maker. Sa a se plis pase 1000 fwa pi bon pase kwiv pi bon kalite.
3. Estrikti an jeneral: konsepsyon modilè ak entegre mouri -casting
Pwosesis entegre aliminyòm alyaj mouri -casting la ka debarase m de rezistans nan tèmik ki soti nan kontak nan sistèm asanble tipik. Yon sèten lari lanp maker itilize AA1070 aliminyòm alyaj entegral mouri -casting metòd pou konbine chanm sous limyè a, chanm elektrik, ak koki dissipation chalè. Sa a diminye rezistans tèmik sistèm nan soti nan 1.2 degre /W a 0.8 degre /W. Pou gwo -modil pouvwa, konsepsyon modilè te vin tounen yon tandans. Yon konpayi sèten ki fè limyè devan otomobil divize modil ki ap dirije 300W nan twa submodul 100W. Chak submodil gen pwòp kanal dissipation chalè li yo, ki diminye tanperati maksimòm junction soti nan 150 degre a 120 degre.
3, sistèm fyab: tcheke koneksyon an nan plizyè jaden fizik
1. tèmik mekanik couplage analiz: sispann materyèl kraze
Pandan tès la monte bisiklèt tanperati soti nan -40 a 125 degre Sèlsiyis, fatig jwenti soude ka rive lè koyefisyan ekspansyon tèmik (CTE) nan diferan materyèl pa matche. Yon konpayi sèten ki fè limyè avyasyon te anplwaye analiz eleman fini (FEA) pou amelyore achitekti PCB la. Sa a te pote diferans CTE ant papye kwiv la ak substrate seramik la desann soti nan 15ppm / degre a 5ppm / degre ak lavi a nan sendika a soude moute soti nan 2000 sik nan 10000 sik.
2. Tès tèmik kouple optik: jere chanjman nan tanperati koulè ak pèt limyè
Derivasyon tanperati koulè nan gwo -pouvwa dirije se dirèkteman pwopòsyonèl ak tanperati junction la. Yon manifakti ekran ekspozisyon espesifik mete kanpe yon platfòm tès pou kouti tèmik optik epi li te jwenn ke drift tanperati koulè a ​​te ale soti nan 200K a 500K lè tanperati a junction te soti nan 85 degre a 125 degre. Drift tanperati koulè a ​​te kenbe nan ± 100K pa amelyore fason yo te fè kouch fosfò a.
3. Aje akselere alontèm-: itilize estanda LM-80 ak TM-21
Estanda tès LM-80 la di ke lanp lan dwe kouri kontinyèlman pou 6000 èdtan nan twa tanperati diferan: 55 degre, 85 degre, ak 105 degre. Lè sa a, yo itilize algorithm TM-21 pou konnen konbyen tan li pral dire. Done tès ki soti nan yon sèten konpayi ekleraj endistriyèl montre ke lanp substrate seramik yo pran 8000 èdtan pou pouri a 70% nan 105 degre. Sa a se byen lwen pi long pase nòmal pou endistri a, ki se 50000 èdtan.
4. Tandans teknik ki pi enpòtan nan endistri a
Dissipation chalè lè l sèvi avèk metal likid: Gallium-metal likid ki baze sou gen yon konduktiviti tèmik 30W/(m · K), ki se 60 fwa dlo. Yon konpayi ki fè pwojektè lazè sèvi ak mikrokanal metal likid pou refwadi tanperati junction yon sous limyè 3000W a mwens pase 80 degre.
Fim pou dissipation chalè grafèn: konduktiviti tèmik nan yon sèl -kouch grafèn se 5300W/(m · K). Yon konpayi sèten ki fè flash telefòn mobil te mete kouch grafèn sou plak ki ap dirije, sa ki fè chalè a gaye twa fwa pi vit.
Materyèl chanjman faz (PCM): Yon konpayi ekleraj deyò mete PCM ki baze sou parafine - ant najwa dissipation chalè yo. Materyèl sa a absòbe chalè pandan jounen an ak fonn, Lè sa a, degaje chalè nan mitan lannwit ak solidifye. Sa diminye seri chanjman tanperati junction lajounen pa 15 degre.